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瑞腾丰 大芯片15N65 场效应MOS管1***/650V N沟道 15N65塑封 TO-220F
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瑞腾丰 大芯片15N65 场效应MOS管1***/650V N沟道 15N65塑封 TO-220F

产品标签  | 15N65塑封大芯片 MOS管15A650V 15N65直插

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瑞腾丰 大芯片15N65 场效应MOS管1***/650V N沟道 15N65塑封 TO-220F

国产足参数15N65大芯片，1***以上650V，价格优势，长期现货

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    品牌：瑞腾丰型号：15N65封装：TO-220F
    批号：22+FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：650V
    漏极电流(Id)：1***漏源导通电阻(RDS On)：0.65栅源电压(Vgs)：±30
    栅极电荷(Qg)：48nC反向恢复时间：电话联系最大耗散功率：156000mW
    配置类型：MOSFET场效应管工作温度范围：-55°C ~ 150°C安装类型：直插






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