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瑞腾丰 大芯片6N65 场效应MOS管 6A/650V N沟道 FQD6N65C 贴片TO-252
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瑞腾丰 大芯片6N65 场效应MOS管 6A/650V N沟道 FQD6N65C 贴片TO-252

产品标签  | 6N65大芯片 MOS管6A650V 6N65贴片

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瑞腾丰 大芯片6N65 场效应MOS管 6A/650V N沟道 FQD6N65C 贴片TO-252

国产足参数6N65大芯片，6A以上650V，价格优势，长期现货

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      广东 深圳 福田区 中航路都会轩1906
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    品牌：瑞腾丰型号：6N65封装：TO-252
    批号：22+FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：650V
    漏极电流(Id)：6A漏源导通电阻(RDS On)：2.0栅源电压(Vgs)：±30
    栅极电荷(Qg)：16nC反向恢复时间：电话联系最大耗散功率：80000mW
    配置类型：MOSFET场效应管工作温度范围：-55°C ~ 150°C安装类型：贴片






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